RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
49
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2994
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link