RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
49
Intorno -158% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
19
Velocità di lettura, GB/s
10.0
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2994
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link