RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
48
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
48
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3061
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link