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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
48
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
12.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
48
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
12.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
3061
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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