RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
48
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
48
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
12.3
Скорость записи, Гб/сек
8.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
3061
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link