RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2458
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link