RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2458
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link