RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
47
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2889
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link