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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
10.4
16.8
写入速度,GB/s
7.8
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2889
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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