RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2683
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link