RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Porównaj
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
73
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
73
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2255
1842
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link