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Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
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Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
総合得点
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
40
73
周辺 45% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
7.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.4
13.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
73
読み出し速度、GB/s
13.6
14.4
書き込み速度、GB/秒
8.4
7.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2255
1842
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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