RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Сравнить
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
-->
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
73
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
73
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2255
1842
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMX12GX3M3A1333C9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link