RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Сравнить
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB против G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
40
Около -90% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
21
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
21.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2255
4293
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link