RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
40
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2255
4293
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link