RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3040
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link