RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
50
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3784
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link