RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
50
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3784
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link