RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
27
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
2537
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link