RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
43
Около -10% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
39
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
13.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2489
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link