Porównanie pamięci RAM Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Wynik ogólny

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

25 32

Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

15.4 9.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.3 8.6

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 14900

Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2696 2271

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns