Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 32
    Wokół strony 22% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.4 left arrow 9.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    11.3 left arrow 8.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 14900
    Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    25 left arrow 32
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.4 left arrow 9.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.3 left arrow 8.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2696 left arrow 2271
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania