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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

総合得点
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

総合得点
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 32
    周辺 22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.3 left arrow 8.6
    テスト平均値
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB 考慮すべき理由
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 14900
    周辺 1.14 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    15.4 left arrow 9.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.3 left arrow 8.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2696 left arrow 2271

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