Comparação RAM Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Pontuação geral

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

25 32

Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.4 9.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.3 8.6

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Maior largura de banda de memória, mbps

17000 14900

Por volta de 1.14 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2696 2271

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns