RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
39
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
39
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2513
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link