Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 39

Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 14.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 10.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 21300

Около 1.2% выше полоса пропускания

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Причины выбрать
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 39
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 14.6
Скорость записи, Гб/сек

12.0 10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 21300

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2283 2513

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9965600-012.A01G 16GB

Kingston 9965600-012.A01G 16GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

модули RAM