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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
39
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
39
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2513
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
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