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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparez
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Note globale
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Note globale
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
32
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2696
2271
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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