RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3593
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link