Comparación de la memoria RAM Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Puntuación global

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 32

En 22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.4 9.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.3 8.6

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 14900

En 1.14 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2696 2271

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns