RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3258
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link