RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3258
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link