RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
50
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
10.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
3258
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link