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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
50
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
3258
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
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