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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Compara
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1952
3238
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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