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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
48
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
34
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2881
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
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