RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3021
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link