RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3653
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link