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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
51
左右 -132% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
22
读取速度,GB/s
9.8
19.3
写入速度,GB/s
8.1
17.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3653
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
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