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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,833.8
12.5
写入速度,GB/s
2,123.3
9.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2609
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
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