RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 12.5
    テスト平均値
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 59
    周辺 -103% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.7 left arrow 2,123.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 12.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 9.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    731 left arrow 2609

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
メモリRAM