RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
59
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
9.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2609
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link