RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
51
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3021
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link