RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3537
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link