RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
53
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
53
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2643
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link