Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 53

Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.1 14.9

Среднее значение в тестах

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

13.5 10.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 53
Скорость чтения, Гб/сек

16.1 14.9
Скорость записи, Гб/сек

10.1 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2764 2643

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB

Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston 9905701-017.A00G 16GB

Kingston 9905701-017.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Kingston 9905702-014.A00G 8GB

Kingston 9905702-014.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB

модули RAM