AMD R5S38G1601U2S 8GB против InnoDisk Corporation 16GB

-->

Средняя оценка

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Средняя оценка

InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Причины выбрать
AMD R5S38G1601U2S 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 38

Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.4 7.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.2 8.2

Среднее значение в тестах

InnoDisk Corporation 16GB

Причины выбрать
InnoDisk Corporation 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R5S38G1601U2S 8GB

InnoDisk Corporation 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 38
Скорость чтения, Гб/сек

15.4 7.7
Скорость записи, Гб/сек

9.2 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2581 2163

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB

Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

KingSpec KingSpec 16GB

KingSpec KingSpec 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston 9905701-131.A00G 16GB

Kingston 9905701-131.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM