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AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs InnoDisk Corporation 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
InnoDisk Corporation 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
15.4
7.7
写入速度,GB/s
9.2
8.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2163
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
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