Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 30

Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.5 6.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 8500

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 28
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 18.0
Скорость записи, Гб/сек

6.8 16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 17000

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1479 3741

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB

Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB

Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB

Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB

Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB

модули RAM

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

модули RAM