RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB против Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
39
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
39
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2354
2264
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Сравнения RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link