RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3741
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link