RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
37
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2795
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link