RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
37
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2795
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link