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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2795
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
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Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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